半导体行业深度报告：存储市场柳暗花明，国产替代未艾方兴

（报告作者：东海证券分析师 方霁）

存储芯片是半导体产业第二细分市场，市场范围仅次于逻辑芯片，景心胸首要受下流消耗电子和办事器驱动。存储芯片下流需求首要以消耗电子和办事器为主，其中DRAM 市场需求首要以手机、PC和办事器为主。今年数据中心、AI等根本设备结构加速，全球AI办事器估计2023年增加15.30%，达211亿美圆，算力需求爆发式增加需要搭载更大的存储容量以提升处置速度，从而带动存储芯片需求增加。

1.存储芯片是半导体产业的重要分支

1.1.存储芯片是市场范围庞大的集成电路产物之一
（1）存储芯片属于半导体中集成电路的范围，是今朝利用面最广、标准化水平最高的集成电路根本性产物之一。半导体依照产物分类可分为光电器件、传感器件、分立器件和集成电路四大类，占半导体代价量比例最高的为集成电路，约占全部半导体行业市场范围的 82.64%，其首要包括模拟芯片、微处置器芯片、逻辑芯片和存储芯片等四种。按照WSTS 的数据，2022 年全球半导体市场范围为 5740.84 亿美圆，集成电路占比达 83%，其中存储芯片市场范围为 1297.67 亿美圆，占全部半导体行业的 23%，由此可以看出，存储芯片和逻辑芯片在全部半导体产业链中进献的代价量最大。

（2）存储装备是计较机系统中用于存储和读取数据的硬件组件，按存储介质分歧可分为光学存储、磁性存储和半导体存储。光存储器是指用光学方式从光存储媒体上读取和存储数据的一种装备，一般指光盘机、光带机和光卡机等；磁性存储，是指操纵磁能方式存储信息的磁介质装备，其存储与读取进程需要磁性盘片的机械活动，今朝普遍利用于 PC硬盘、移动硬盘等范畴；存储芯片，又称为半导体存储器，是指操纵电能方式存储信息的半导体介质装备，其存储与读取进程表现为电子的存储或开释，普遍利用于内存、U 盘、消耗电子、智能终端、固态存储硬盘等范畴。
依照断电后能否保存存储的信息，存储芯片首要可分为易失性存储芯片（RAM）和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 为随机存储器，断电后不会保存数据，首要产物包括 SRAM 和 DRAM，DRAM 即静态随机存储器，利用电容存储，DRAM 的一个比特利用一个电容和一个晶体管存储，由于电容会漏电，是以需要按时革新一次存储单元来连结数据；SRAM 即静态随机存储器，其内部结构比 DRAM 复杂，可以在不革新电路下保存数据。ROM 是一种存储牢固信息的存储器，在一般工作状态下只能读取数据，不能立即点窜或重新写入数据，在内部电源切断后仍能保存数据，读取速度较慢但存储容量更大，首要包括 EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）、Flash (闪存芯片)、PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)等。

（3）按照具体的功用，可以将计较机中的存储器细分为寄存器、高速缓存、主存储器、磁盘缓存、牢固磁盘、可移动存储介质等 6 层。从 CPU Cache、内存到 SSD 和 HDD，组成了计较机的存储系统，各层只和相邻的层交换数据，随着层级由高到低，装备容量变大、离 CPU 间隔变远、拜候速度变慢、传输时候变长，而且每字节的造价本钱也越来越廉价。
CPU 中的寄存器位于最顶部，记为 L0，它利用 SRAM 芯片做成，集成在 CPU 的内部，其容量有限、速度极快、和 CPU 同步；缓存是一种小而快的存储器，一般作为 DRAM 的缓冲，采用 SRAM 技术实现，凡是也会被集成在 CPU 内部；主存一般由 DRAM 组成，和SRAM 分歧，其存储密度更高，容量更大，价格更低，速度也更慢。综合来看，SRAM 价格贵、速度快，DRAM 价格廉价、容量更大，SSD 和 HDD 硬盘作为内部存储装备容量更大、本钱更低、离 CPU 更远、拜候速度更慢。

（4）DRAM 和 FLASH 是今朝市场上最为首要的存储芯片。FLASH 可分为 NOR 和NAND 两种，两者区分在于存储单元毗连方式分歧，致使两者读取方式分歧，NAND 由于引脚上复用，是以读取速度比 NOR 慢一点，可是擦除和写入速度比 NOR 快很多；NAND内部电路更简单，是以数据密度大，体积小，本钱也低，市场上一些大容量的 FLASH 都采用 NAND 型，例如 SSD、U 盘、SD 卡、EMMC。小容量的 2～12M 的 FLASH 多是NOR 型，NOR 比力合适频仍随机读写的场所，凡是用于存储法式代码并间接在闪存内运转。相比于 Flash 与 Nor，DRAM 具有较高读写速度、存储时候短等上风，但单元本钱更高，首要用于 PC 内存(如 DDR)、手机内存(如 LPDDR)和办事器等装备等。

1.2.垂直合作和并购加速产业链整合
（1）存储芯片是半导体产业的重要分支，下流利用空间广漠。存储芯片行业产业链上游介入者包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供给商和光刻机、PVD、CVD、刻蚀装备、清洗装备、封测装备等半导体装备供给商；产业链中游为存储芯片制造商，首要负责存储芯片的设想、制造和封测，常见的存储芯片包括 DRAM、NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片等；产业链下流为消耗电子、汽车电子、信息通讯、野生智能等利用范畴内的企业，各类电子化和智能化装备都离不开存储芯片利用。

（2）存储芯片依照制造流程又可细分为一条完整的产业链。存储芯片产业链首要由集成电路设想、晶圆制造、封装和测试、模组厂商集成等环节组成，从经营形式来看，首要分为 IDM 和垂直合作形式。IDM 形式指企业营业覆盖 IC 设想、制造、封装和测试的一切环节，大部分国际存储芯片大厂均为 IDM 形式，例如东芝半导体、三星半导体、飞索半导体、美光科技等大型跨国企业。
另一种形式为垂直合作形式，即 Fabless（无晶圆制造的设想公司）+Foundry（晶圆代工场）+OSAT（封装测试企业），Fabless 形式是指无晶圆生产线集成电路设想形式，即企业只停止集成电路的设想和销售，将制造、封装和测试等生产环节外包，例如高通、联发科、AMD、华泰半导体等；Foundry 即晶圆代工场，它是一种只负责芯片制造，不负责芯片设想环节的一种产业运作形式，这类企业典型代表为台积电、联电、中芯国际等；OSAT 指专门处置半导体封装和测试的企业，比如日月光、Amkor、长电、通富微电等。

（3）垂直合作形式进一步深化，下降本钱同时明显提升产业运作效力。IDM 形式下，企业投入大量资金用于晶圆制造装备和生产线的扶植，内部各环节协同生产，整体范围效应明显，毛利率也会上升；但 IDM 形式下，企业内部治理本钱增加，是以，IDM 形式合适范围庞大的企业。
Fabless 形式重视轻资产运营，更加灵活，可以充实操纵半导体产业链资本，集合首要精神用于产物研发和技术迭代，顺应剧烈的市场合作情况，快速成长，弱点是没法实现工艺协同，同时需要承当各类市场风险，相对来说合适小企业经营。存储芯片标准化水平较高，国际巨头大部分采纳 IDM 形式运转，国内存储企业由于范围较小，刚起头从小众市场切入，大都采用 Fabless 形式，随着企业范围的扩大，持久或将向 IDM 形式转型。近些年，国内大型存储项目长江存储、合肥长鑫、福建晋华均是 IDM 形式的大型晶圆厂结构。

（4）行业成长和技术升级驱动产业链形式变化，并购加速产业链整合。在台积电建立之前，半导体行业只要 IDM 一种形式，经过半个多世纪成长，全球半导体产业链慢慢朝向合作和整合趋向成长。
1）产业链合作：摩尔定律鞭策半导体行业技术不竭更新迭代，同时带动生产制造装备的升级革新，先辈工艺晶圆厂资金投入增加，Foundry 形式能最大化的分摊技术升级本钱和操纵产能，进步本钱支出的收益率。IDM 企业为了削减投资风险、轻资产化，逐步采纳 Fablite（轻晶圆厂）战略，将部分非焦点和高难度工艺制造营业转为第三方代工，本身保存其他制造营业。
2）产业链整合：半导体行业进入新的成长阶段，经过并购，企业间可以基于营业层面的协同互补，扩大产物条线和客户群体，缩减本钱的同时实现更强的供给链溢价，提升行业市占率。是以，随着技术进步，全球合作形式越来越多，同时，大企业不竭成长又不竭合并为 IDM 形式，产业循环来去，鞭策全球技术不竭推动。

（5）近些年，随着技术难度不竭升级，Fabless 公司在全球 IC 销售额中的份额延续提升。按照 IC Insights 数据，在销售增加率方面，曩昔 20 年里，采纳 Fabless 形式的公司 IC 销售额增加率明显高于采纳 IDM 形式的公司，个体年份例如 2017、2018 年，Fabless 公司份额增加低于 IDM 公司，而且相较于 IDM 公司，Fabless 公司受市场情况波动幅度更小。在销售份额占例如面，2003-2021 年，全球 Fabless 公司销售份额占 IC 销售额比重稳定增加，2019 年 IC 市场的 Fabless 份额较客岁同期进步 4.1 个百分点至 29.9%，随后延续增加并在 2021 年到达 34.8%的峰值。Fabless 形式的轻资产化更加灵活，在市场周期下行的阶段，能更好顺应剧烈的市场合作情况。我国国产化空间庞大，大部分的存储芯片企业建立之初均以 Fabless 形式为主。

1.3.存储产业在空间上履历两次迁移
（1）存储芯片产业起源于美国，尔后履历过两次大的产业转移。进入 1960 年月后，随着计较机技术的成长，电子行业起头了将集成电路技术用于计较机存储范畴的尝试，存储芯片产业链从垂直整合到垂直化合作越来越明白，并履历了两次空间上的产业迁移，迁移途径由美国至日本再到韩国。
1）美国：行业市占率居前的首要厂商也随着产业迁移发生了明显的变化，最起头由美国加州的 Advanced Memory System 公司生产出了天下上第一款 DRAM 芯片（容量唯一 1KB），随后英特尔、德州仪器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、美光等存储厂商逐步成长强大。
2）日本：1976 年，为了成长半导体技术范畴，日本经过举国体制，建立了 VLSI 结合研发体，随后成功研制出 64K DRAM，追平了美国研发进度；到了 1980 年月，日本厂商凭仗质量和价格上风，起头反超美国，市占率逐步到达全球第一；1985 年，美苏冷战氛围不竭削弱，日美贸易磨擦不竭增加，美国起头对日本经济实施打压，在连续的施压下，日本存储芯片市场份额一落千丈，很快损失了主导权。
3）韩国：韩国企业捉住了美日半导体合作的契机，在美国的技术让渡和市场准入扶持下，三星电子脱颖而出，逐步赶超日本。

（2）存储市场加速成长，国内厂商异军突起。2016 年之前，国内没有生产 DRAM、Flash 的才能，直到合肥长鑫、长江存储建立。2019 年，中国大陆公司起头周全进军存储器市场，长江存储 64 层 3D NAND Flash 进入量产阶段，紧接着合肥长鑫公布中国大陆第一座 12 英寸 DRAM 工场投产，并公布首个 19 纳米工艺制造的 8Gb DDR4。
三年时候里，国内相继霸占了 3D NAND Flash 和 DRAM 技术，在一定水平上打破了内存和闪存制造国际寡头把持的场面。国内存储芯片起步晚，要实现全球领先任重道远，先辈制造技术仍把握在国际大厂的手里，是以，存储芯片产业成长需要持久的资金投入和技术革新，处理生产制造中不良率的下降以及产能的上升，进步性能目标。

1.4.存储芯片技术成长趋向
（1）DDR、LPDDR、GDDR 是基于 DRAM 的三种内存标准或标准。固态技术协会（JEDEC） 界说了三种 DRAM 标准种别，帮助设想职员满足方针利用的功耗、性能和规格要求。标准 DDR：面向办事器、云计较、收集、笔记本电脑、台式机和消耗类利用，支持更宽的通道宽度、更高的密度和分歧的外形尺寸，其成长线路经过提升焦点频次来进步性能。
移动 DDR（LPDDR)： 面向移动式电子产物和汽车这些对规格和功耗很是敏感的范畴，供给更窄的通道宽度和多种低功耗运转状态，四代之前是基于同代 DDR 成长，四代以后是基于利用端单独成长，经过进步 Prefetch 预读取位数来提升性能。图形 DDR (GDDR)：面向需要极高吞吐量的数据麋集型利用法式，例如图形相关利用法式、数据中心加速和 AI，是利用于高端显卡的高性能 DDR 存储器，偏重于数据位宽、远超同期 DDR 的运转频次。

（2）DDR 因其性能和本钱上风成为今朝 PC 和办事器端支流内存。SDRAM 也可称为 SDR SDRAM，即单倍数据传输率，SDR SDRAM 的焦点、I/O、等效频次皆不异，在 1个周期内只能读写 1 次，若需要同时写入与读取，必须等到先前的指令履行终了，才能接着存取。DDR 是用于系统的 RAM 技术，标准称号为 DDR SDRAM，即双倍速度同步静态随机存储器，其特点是高带宽、低延时，DDR 总线每个通道是 64bit 宽度，每根 Data 的管脚可以停止读操纵或写操纵（分歧时）。
今朝已推出的 DDR1-DDR5 是由 JEDEC 制定的产物标准，从 DDR1 到 DDR5 的演进线路来看，DDR 的能耗越来越低，传输速度越来越快、存储容量也越来越大，今朝的最新标准是 DDR5，起步速度为 4800MT/S，最高可达 6400MT/S，电压则从 1.2V 降至 1.1V，功耗削减 30%。今朝，三星已经率先起头了下一代DDR6 内存的早期开辟，估计其 DDR6 设想将在 2024 年之前完成，在 2025 年以后起头贸易利用。

（3）受益于终端需求快速成长，LPDDR 和 GDDR 步入高速迭代期。LPDDR，即低功率双倍速度同步静态随机存储器，是 DDR SDRAM 的一种，又被称为 mDDR（Mobile DDR SDRAM），具有比同代 DDR 内存更低的功耗和更小的体积。今朝智妙手机普遍利用的 LPDDR5 内存标准是 2019 年 2 月由 JEDEC 协会正式公布，相较于上一代 LPDDR4 标准，LPDDR5 的 I/O 速度提升到 6400 MT/s，是 LPDDR4 速度的两倍，比 LPDDR4X 的4266MT/S 快了 50%。GDDR，是用于显现的 RAM 技术，其特点是高带宽、高延时，今朝最新的标准是 GDDR6，2022 年 7 月，三星推出了首款具有 24Gbps 处置速度的GDDR6 显存。

（4）DRAM 的先辈制程工艺已经缩小到 15nm 以下，各大厂商继续向 10nm 逼近。从制程工艺的停顿来看，早前 DRAM 产物的更新时候大致在 3 到 5 年更新一代，在步入20nm 之内冲破停顿显现放缓趋向，10nm~20nm 系列制程最少包括六代，大约每两年实现一次冲破。由于电路结构是三维的，利用线性的权衡方式并不合适，存储行业凡是利用 1X、1Y、1Z、1α、1β、1γ 之类的术语表达制程。
国际存储大厂三星电子、SK 海力士和美光相继在 2020 年落后入 1Znm 阶段，美光 1βnm DRAM 在 2022 年 11 月实现量产，并率先利用在智妙手机真个 LPDDR5X；三星在 2022 年 12 月底推出 12 nm DRAM，功耗较前一代下降 23%；SK 海力士最新一代 DRAM 为 1a nm，估计 2023 年将会实现 1b nm（即 12nm）DRAM 的量产。
中国外乡 DRAM 厂商首要有合肥长鑫、紫光国芯、兆易创新、东芯股份和福建晋华等，兆易创新依托合肥长鑫的代人为本，2021 年推出首款自研 4GbDRAM，采用 19nm 制程工艺，今朝行将推出 17nm 产物；北京君正采用中国台湾力晶、南亚科技的 25nm 工艺平台；紫光国芯、东芯股份等最新工艺制程为 25nm。

（5）按存储单元密度来分，NAND Flash 可分为 SLC、MLC、TLC、QLC 四种。SLC 为单级单元，每单元可存储 1 比特数据，产物性能好、耐久度高，供给高达 10 万个P/E 周期，但容量低、本钱高，常利用于对读写耐久度要求很高的行业，如办事器、军工等。MLC 属于多级单元，每单元可存储 2 比特数据，数据密度比 SLC 要高，可以有更大的存储容量，具有 1 万个 P/E 周期，耐久性比 SLC 低，MLC 在办事器、工规级利用较多。
TLC 为三级单元，每单元可存储 3 比特数据，性能和耐久性下降，P/E 周期降至最高 3000个，可是容量可以做得更大，本钱也可以更低，普遍用于消耗类产物，是性价比最高的存储计划，性能、价格、容量等多个方面到达了较好的平衡。QLC 为四级单元，每单元可存储 4 比特数据，性能、耐久度进一步变差，P/E 周期只要 1000 个，但价格廉价，单元空间内的存储容量更高，消耗级的大容量 SSD 就采用 QLC NAND 闪存颗粒。今朝 NANDFlash 首要以 TLC 为主，QLC 比重正在慢慢进步，QLC 的性能和耐久度的不敷可以经过增大容量来填补，在消耗类产物中有取代 TCL 的趋向。

（6）NAND 履历了 2D NAND 期间，现在迈入 3D NAND 期间。2D NAND 将存储数据的单元水平并排地放置，放置单元的空间量有限，缩小单元则会下降牢靠性；3D NAND在纵向上增加叠放单元，加大单元面积内的晶体管数目，从而获得更高存储密度，实现更高的存储容量，此外，耐久度更高、功耗更小，同时不会致使价格大幅上升。16nm 制程以上的闪存多属于 2D NAND，其制程工艺不竭成长，向 1Znm 逼近，不竭缩小的光刻技术在扩大上范围性越来越强，平面微缩工艺的难度也越来越大，无穷接近物理极限，16nm制程后，继续采用 2D 微缩工艺的难度和本钱已跨越 3D 技术，是以 3D NAND 起头成为支流。
市场上的 3D NAND 首要分为传统并列式架构和 CuA（CMOS under Array）架构，2018 年，长江存储公布了其冲破性 3D NAND 架构 Xtacking，将晶圆键合这一关键技术在3D NAND 闪存上得以实现，随着层数的不竭增高，基于 Xtacking 所研发制造的 3D NAND闪存将更具本钱和创新上风。

（7）国内外存储厂商 3D NAND 层数已经成长到 200+层，未来将延续拓展更高层数。未来三星电子最早在 3D NAND 范畴拓展，2013 年 8 月，三星推出 24 层 128Gb 第一代 V-NAND 闪存，这是全球首个 3D 单元结构“V-NAND”，后连续推出 32 层、48 层、64 层、96 层、128 层、176 层、236 层 V-NAND 。
韩国第二大存储厂商 SK 海力士在 2014 年研发出 24 层 3D NAND 产物，以后连续依照 32、48 层、72 层、76 层、96 层、128 层、176 层的顺序连续推出闪存新产物，2022 年 8 月，SK 海力士将层数冲破到 238 层的新高度，是今朝全球最高层数 NAND 闪存。此外，美国公司美光推出 232 层 3D NAND，凯侠和西部数据配合推出 218 层，国内厂商长江存储也将 3D NAND 层数推至 232 层，未来，存储厂商会向更具合作力的 300+层、400+层数堆叠的 3D NAND Flash 迈进。

2.存储行业周期底部渐明

2.1.存储芯片市场具有强周期属性
（1）存储芯片是半导体标准化水平最高的市场，周期性表示明显、市场弹性较强。半导体产业中，存储芯片的市场范围仅次于逻辑芯片，行业景心胸受供需关系影响较大，显现出较强的周期性，被视为半导体产业周期的风向标。
按照 WSTS 统计，2015-2022 年，全球存储芯片市场范围呈周期性波动，2018 年全球存储芯片市场范围为 1580 亿美圆，2019 年受贸易磨擦和价格下降影响，全球存储芯片市场下降 32.6%至 1064 亿美圆，2021年存储芯片市场到达短期峰值，随后两年市场景气延续下行，WSTS 猜测 2023、2024 年存储芯片市场范围别离为 840.41、1203.26 亿美圆。
按照历史数据表示来看，半导体和存储市场周期性趋同，但存储行业整体波动性较大，弹性较强。我们估计 2023 年下半年市场加速筑底，有望迎来上行周期，且随着野生智能、物联网、大数据等范畴的成长，行业需求将获得延续扩大。

（2）国内存储芯片市场近年来延续扩大。随着野生智能、物联网和云计较技术的推动，国内电子制造水平不竭提升，对存储芯片的需求慢慢爬升。国内存储芯片制造商积极投入存储芯片研发和制造范畴，尽力实现技术自立创新，提升外乡产业合作力，下降进口依靠。按照中商产业研讨院数据显现，2018-2022 年，中国存储芯片行业市场范围整体显现上涨态势，2019 年受全球存储器行业的影响，市场范围有所下降，2022 年国内存储芯片行业市场范围约为 5938 亿元，猜测 2023 年将到达 6492 亿元。随着国内消耗电子市场高速成长，未来存储芯片的需求空间也会越来越广漠。

（3）从全球存储市场结构来看，DRAM 和 NAND Flash 占据绝对主导职位。按照Yole Group 观察机构的数据显现，2021 年存储芯片整体市场范围到达了 1665 亿美圆。其中 DRAM 占比为 56.3%，NAND 占比为 40%，剩下的 NOR、(NV)SRAM/FRAM、EEPROM、新型非易失存储等占比 3.7%。同时，Yole 猜测在 2021-2027 年，存储市场均匀每年将会有 8%的增加，到 2027 年市场范围将到达 2630 亿美圆，其中 DRAM 和 NAND仍然占据绝对职位，估计在 2027 年 DRAM 到达 60%，NAND 市场稍微有所下降到 36%，其他存储器占残剩 4%的市场份额。

（4）分季度来看，2022 年景为拐点，存储市场范围增加步入序幕。三年疫情时代，存储市场需求上升，市场范围增加较快，据 CFM 闪存市场估计，2021 年 Q3 DRAM 市场范围增加 9%至 264 亿美圆，NAND Flash 市场范围增加 15%到达 186 亿美圆，以后DRAM/NAND 市场范围起头下降，到 2022 年 Q4 存储市场范围已经回到 2019 年 Q1、Q2的周期底部水平，在旺季效应下 2023 年一季度环比续跌，二季度或为 2023 年最低点，估计从 2023 年下半年起，存储市场范围将逐季增加，在需求改良的条件下有望回到之前的增加速度和市场范围。

2.2.消耗类终端装备搭载存储容量延续增加
（1）存储下流利用空间普遍，首要以消耗电子和办事器为主。存储器产业链下流涵盖智妙手机、平板电脑、计较机、收集通讯装备、汽车电子等行业以及小我移动存储等范畴，分歧利用处景对存储器的参数要求复杂多样，触及容量、读写速度、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容，由此也构成了分歧的产物形状。
DRAM 中，LPDDR 首要与嵌入式存储配合利用于智妙手机、平板等消耗电子产物，近年来亦利用于功耗限制严酷的小我电脑产物，DDR 首要利用于办事器、小我电脑等，DRAM 市场需求首要以手机、PC 和办事器为主，2021 年占比别离为 35%/16%/33%。NAND Flash 包括嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）和移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储市场首要受智妙手机、平板等消耗电子行业驱动，固态硬盘下流市场包括办事器、小我电脑，移动存储普遍利用于各类消耗者范畴，2021 年，利用于 mobile 真个嵌入式存储产物、利用于 PC 真个 cSSD 和利用于办事器真个 eSSD 产物别离占比 34%、22%和 26%。

（2）作为存储芯片下流重要的细分市场，智妙手机景心胸成为存储市场成长的焦点驱动力之一。随着移动通讯技术的成长和移动互联网的提高，手机 ROM 和 RAM 别离成为嵌入式 NAND Flash 和 DRAM 的焦点市场。得益于 3G/4G 通讯收集的扶植，全球智妙手机市场出货量从 2010 年的 3.05 亿台敏捷递增至 2016 年的 14.73 亿台，2017 年起头智妙手机市场趋向饱和，主如果 4G 智妙手机增量市场触及天花板，智妙手机整体出货量首要受存量市场手机单元存储容量增加驱动。2019 年是 5G 商用化元年，随着 5G 逐步提高，新一轮的换机周期开启，智妙手机终端新需求进一步翻开。

（3）存储芯片价格下跌，助推终端厂商容量设置升级。智妙手机对于存储芯片需求不但取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。今朝支流智妙手机的存储容量为256GB 至 512GB，缓存容量为 8GB 至 12GB，随着 5G 手机渗透率的慢慢提升，智妙手机的性能进一步升级，单台智妙手机的 RAM 模块（LPDDR）和 ROM 模块（嵌入式NAND Flash）均在履历延续、大幅地提升。
RAM 扩容是 CPU 提升处置速度的需要条件，功用更增强大的移动终端将答应手机搭载功用更加复杂、占据存储容量更大的软件法式，且消耗者经过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消耗习惯亦会进一步延续鞭策智妙手机 ROM 扩容。2023 年智妙手机在生产数目上增加陡峭，均匀搭载容量增加为移动端NAND 需求增加的首要驱动力，集邦征询估计随着 UFS 价格回调，2023 年 Q4 256GB 占比有望冲破 30%。
（4）PC 市场需求有所回落，单台装备存储容量延续增加。三年疫情带来工作、生活方式的改变，而平板、笔记本电脑等也因远程办公、在线教育场景需求，出货量大幅增加，2020 年、2021 年出货量同比增加 13.47%和 15.27%，但疫情并非持久性事务，PC 需求量延续高速增加存在较大不肯定性，2022 年起头需求已经回落。由于 SSD 的制造本钱较高，PC 端数据存储曩昔首要利用机械硬盘（HDD），近年来，随着 NAND Flash 单元存储经济效益延续凸显，同时笔记本电脑，出格是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严酷，SSD 对 HDD 的替换效应明显。同时，PC 与其他消耗电子产物不异，正在履历性能和数据存储需求的延续增加，随着消耗者处置数据的需求不竭增加，单台装备的存储容量需求亦延续增加。

2.3.AI&汽车电子驱动下流景气苏醒
（1）数据范围延续增加，给存储行业带来较大的成漫空间。传统存储面临的利用主如果数据库、文件和流媒体等传统利用，在新兴技术驱动下，存储首要面临的是云计较、大数据和野生智能等大范围数据利用处景。据 IDC 猜测，2025 年，全球数据量将到达175ZB，5 年年均复合增加率 31.8%，而数据中心存储量占比将跨越 70%。从全球市场来看，2017-2022 年全球数据中心市场连结平稳增加趋向，市场范围从 465.5 亿美圆增加至679.3 亿美圆，五年内的年均复合增加率为 9.91%，估计 2023 年全球数据中心市场范围将进一步增至 820.5 亿美圆。
随着我国各行业数字化转型的深入推动，我国数据中心市场范围也将连结延续增加态势，估计 2023 年市场范围将到达 2470.1 亿元。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加速，两者配合带动办事器数据存储市场范围快速增加。在数据中心作为新型根本设备加速扶植的布景下，办事器数据存储的市场范围将继续快速增加，存储板块的需求也将大幅增加。

（2）“东数西算”工程周全实施，办事器存储市场有望进一步翻开。2021 年 5 月，国家成长鼎新委、中心网信办、产业和信息化部、国家能源局结合印发《全国一体化大数据中心协同创新系统算力关键实施计划》，2022 年 2 月，京津冀、长三角、粤港澳大湾区、成渝、内蒙古、贵州、甘肃、宁夏 8 地启动了扶植国家算力关键节点，并计划了 10 个国家数据中心集群，依托 8 大算力关键和 10 大集群，更好指导数据中心集约化、范围化、绿色化成长，促进工具部数据畅通、代价传递，带动数据中心相关产业由东向西有用转移。国家东数西算计谋不竭获得停顿，估计到 2025 年，韶关数据中心集群将建成 50 万架标准机架、500 万台办事器范围，投资超 500 亿元。东数西算计谋聚焦于算力和数据存储，工程的实施有望进一步拉动办事器数据存储的整体市场范围，国产企业级 SSD 厂商有望翻开增量空间。

（3）天生式 AI 市场敏捷扩大，进步了对 AI 办事器内存的需求。随着野生智能产业加速成长，全球首要国家和地域纷纷加速 AI 根本设备结构， AI 办事器凡是由 CPU 搭载GPU、FPGA、ASIC 等加速芯片组成，以满足高吞吐量互联的需求，是野生智能根本设备 的焦点。2022 年全球 AI 办事器市场范围约为 183 亿美圆，估计 2023 年全球 AI 办事器市 场范围增加 15.30%，将达 211 亿美圆。2022 年全球 AI 办事器出货量约占整体办事器比重 近 1%，约为 14.5 万台，估计 2023 年出货量将达 15 万台，到 2026 年将增加至 22.5 万台。 AI 大模子等野生智能技术成长，激发了对办事器算力需求的进一步增加，智能算力需求爆 发式增加意味着需要搭载更大的存储容量以提升处置速度，同时带动存储芯片需求成长。

（4）汽车存储市场成长敏捷，首要以智能座舱和 ADAS&AD 为主。按照 Yole 报告， 2021 年，汽车存储器市场范围到达 43 亿美圆，占全球存储器市场支出的 2.6%，占汽车半 导体的 10%。汽车存储器 2021 到 2027 年的年均复合增加率为 20%，跨越同期存储器市 场和汽车半导体市场的增速。汽车存储市场由 NAND 和 DRAM 主导，合计份额为 80%， 其中 DRAM 为 41%，NAND 为 39%，NOR Flash 在汽车范畴表示的占有率较高，市场份 额为 15%。具有信息文娱单元、仪表盘和毗连性的驾驶舱是今朝首要的汽车存储用户， 2021 年占比到达 71%，ADAS&AD 紧跟厥后，成为第二大车载内存用户，2021 年占支出 的 24%，动力总成、底盘战争安以及车身和舒适性等其他范畴合计占需求的 5%。估计到 2027 年，智能座舱仍将是存储范畴首要消耗者，但 ADAS&AD 的支出份额将增至 36%， 技术方面，DRAM 和 NAND 将占汽车内存支出的 90%左右。

（5）自动驾驶品级越高，对车载存储容量、密度和带宽的需求也大幅提升。车载市场 今朝首要的存储利用包括 DRAM（DDR、LPDDR）和 NAND（eMMC 和 UFS 等），其中 低功耗的 LPDDR 和 NAND 将是首要增加点。高品级自动驾驶汽车对于车载存储容量、密 度和带宽的需求更高，将需要采用更高带宽的存储器如 LPDDR5、GDDR6 等，以简化系 统设想。以 NAND Flash 为例，首要用于 ADAS 系统、IVI 系统、汽车中控等，感化在于存储持续数据，随着自动驾驶品级提升，ADAS 系统对 NAND 容量需求增加明显，L1/L2 级 ADAS 一般只需支流 8-64GB 的 eMMC，L3 级则提升至 128/256GB，L5 级最高能够跨越 2TB，能够进一步采用 PCIe SSD。

3.存储厂商缩减本钱开支以调配供需平衡

3.1.存储芯片市场行业集合度较高
（1）DRAM 和 NAND Flash 市场集合度高，显现寡头把持格式。按照 Yole 数据，2021 年全球存储市场中，DRAM 占比为 56.3%，NAND 占比为 40%，今朝 DRAM 芯片的市场格式由三星、SK 海力士和美光三家存储厂商主导，CR3 市场占有率合计已跨越 95%，最新数据来看，2023 年 Q2 三星电子占全球 DRAM 市场营收的 38.14%，SK 海力士占比达 32.29%，美光的市占率也到达 25.03%，市场高度集合，寡头把持的格式使得国内厂商对 DRAM 芯片议价才能很低，也使得 DRAM 芯片成为我国受内部制约最严重的根本产物之一。
NAND Flash 市场经过几十年的成长，逐步构成了由三星电子、铠侠、西部数据、美光、SK 海力士等组成的稳定市场格式，2023 年 Q2 三星电子、铠侠、SK 海力士、西部数据、美光的营收占比别离为 30.18%、20.05%、18.25%、15.09%、11.10%，CR5 合计市占率达 95%，国内的长江存储也在渐渐进入 NAND 市场，但市占率相对较低。

（2）NOR 行业履历二十多年演变，头部厂商履历屡次洗牌。2003 年由 AMD 和富士通整合各自的闪存营业合并建立飞索半导体，后逐步成长为 NOR Flash 范畴头部厂商，但是在 2009 年，公司申请了破产庇护，三星电子也在 2010 年起头公布退出 NOR 市场，由英特尔和意法半导体在 2008 年合资建立的恒亿也在 2010 年被美光收买。全球 NOR 市场空间经过较长时候的下行，国际巨头美光和赛普拉斯于 2017 年前后公布慢慢退出中低容量的消耗电子市场，美光和赛普拉斯的退出使华邦、旺宏和兆易创新的份额起头上升，别的产能的削减也改良了市场的供需关系，2017 年以后，全球 NOR Flash 市场被旺宏、华邦、赛普拉斯、美光和兆易创新把持。

（3）国际存储巨头相继退出 NOR Flash 市场，龙头占据首要份额。NOR Flash 属于 利基型存储，在全球存储市场份额很小，按照 Yole 数据，2021 年全球存储市场中，NOR 占比仅为 2.1%。2015-2021 年，受 5G、TWS 等新智能装备，以及居家办公、远程教育等 需求带动，NOR Flash 市场范围连结稳定增加，2021 年市场范围到达 28.84 亿美圆，同比 增加 15.36%，其中旺宏、赛普拉斯、华邦、美光和兆易创新成为 NOR Flash 全球前五大 供给商，2017 年占据全球 92%以上的市场份额。随着 2017 年国际存储巨头美光、赛普拉 斯相继退出低端 NOR 市场，华邦、旺宏、兆易创新则逐步占据 NOR Flash 残剩的首要市 场份额，2021 年三家存储厂商的市占率别离为 35%、33%和 23%，CR3 合计市占率到达 91%，国内厂商例如普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份等也敏捷加入市场。

（4）国内厂商加速产业链结构，聚焦利基型存储市场。存储芯片行业属于技术麋集型 产业，全球存储芯片市场根基均被韩国、日本以及美国等国家把持，国内存储芯片行业起 步晚，缺少技术堆集，国内厂商除合肥长鑫和长江存储外，大部分聚焦于利基型市场，与 国际龙头展开错位合作。
国内代表性存储芯片设想及制造企业包括兆易创新、长江存储、 长鑫存储、武汉新芯、普冉股份等，近年来，中国紫光团体旗下长江存储、武汉新芯，以 及兆易创新及其合作厂商合肥长鑫等在 DRAM 和 Flash 范畴逐步冲破技术壁垒，存储芯片 供给格式正在悄悄变化，从曩昔高度依靠进口，到国产物牌逐步起头占据市场。虽然今朝 国内存储芯片产业整体成长与外洋巨头仍然存在差异，各家存储芯片产物仍处于投产早期，尚未实现产物的范围量产，但随着国内厂商不竭获得关键性技术冲破，市场有望迎来黄金 成长期。

3.2.国内外存储厂贸易绩普遍承压
（1）需求疲软及客户调剂库存，三星电子存储业绩大幅下滑。三星电子是全球存储行业龙头厂商，DRAM 和 NAND Flash 的市占率均位列全球第一。三星电子建立于 1969 年，1974 年三星收买了韩国半导体公司 50%的股份并于 1979 年收买了残剩股份，更名三星半导体，并于 1980 年与三星电子合并，进一步稳固了三星电子在半导体制造范畴的统治职位。按照三星电子公布的财报数据，2022 年 Q3 起头，三星电子业绩起头出现下滑，公司2023 年 Q2 实现营业支出 60.01 万亿韩元，同比-22%/环比-6%；实现营业利润 0.67 万亿韩元，同比-95.26%/环比+4.69%。其中，存储营业营收为 8.97 万亿韩元，同比-57%/环比+1%，存储市况恶化使得三星电子整体业绩回落，不但存储营收缓慢下滑，而且存储地点的 DS 部分 2023 年 Q2 吃亏 4.36 万亿韩元，上季度吃亏 4.58 万亿韩元，环比吃亏收窄。

（2）美光 2023 年 Q3 业绩环比改良，AI 范畴拉动存储芯片需求增加。美光科技是全 球领先的 DRAM 供给商之一，同时也是 NAND 闪存市场的领军企业之一，其存储芯片行业市占率全球领先。公司建立于 1978 年，总部位于美国爱达荷州博伊西市，最初是生产 DRAM 芯片的专业厂商，随着技术不竭升级和营业范围的扩大，美光科技逐步成为了集计 算存储、移动存储、办事器、收集与通讯、产业与汽车等多个范畴的智能存储处理计划提 供商。
公司 2023 财年第三财季实现营业支出 37.52 亿美圆，同比下降 56.58%，其中 DRAM 占营收比重的 71%，NAND 占 27%；三季度调剂后运营吃亏 14.69 亿美圆，市场 预期吃亏 16.9 亿美圆，较上季度吃亏 20.77 亿美圆明显收窄。受益于天生式野生智能技术 的加速提高，野生智能办事器对于内存芯片和存储芯片市场需求拉动，叠加上游减产和渠 道清库存，传统的小我电脑和智妙手机市场，存储芯片供大于求的困难有所减缓，存储芯 片行业起头逐步回温。

（3）AI 鞭策高端存储产物销售增加，SK 海力士二季度营收吃亏收窄。SK 海力士成 立于 1983 年，公司首要生产和供给电脑和移动产物等 IT 装备必须的 DRAM 和 NAND 闪 存产物，在天下 IT 产业中占据主导职位，是天下第二大内存芯片厂商。自 1984 年生产 16Kb SRAM 以来，以后延续供给天下最小、最高速、最低电压的内存半导体，随着移动 端和 PC 端用户量日益增加，对内存芯片的需求也越来越多，SK Hynix 加速产物结构，技 术成长层层冲破。
公司 2023 财年第二财季实现营收 7.31 万亿韩元，较一季度 5.09 万亿韩 元环比增加 44%，同比削减 47%；经营吃亏 2.88 万亿韩元，相比客岁同期是由盈转亏， 环比收窄 15%；净吃亏 2.99 万亿韩元，净利润率-41%优于 Q1 和客岁 Q4。虽然 PC、移 动端市场弱势，DDR4 等普通 DRAM 价格延续下降，但随着以 ChatGPT 为中心的天生式 AI 市场的扩大，用于 AI 办事器的存储器产物需求强势，HBM3、高性能 DDR5 和 LPDDR5 DRAM 等高价格、高设置产物销售增加，DRAM 整体 ASP 比第一季度有所进步。

（4）国内存储厂商经营状态下滑，大都业绩表示欠安。面临全球消耗电子行业需求疲 软、产业库存较高、全球通胀、新冠疫情、经济放缓等多重身分叠加，半导体存储行业需 求下滑，存储产物价格下滑，市场整体表示下行趋向。国内存储厂商财政表示来看，大多 数厂商出现营收、归母净利润下滑，盈利水平下降，个体厂商如聚辰股份，把握 DDR 内存 模组换代升级以及汽车级 EEPROM 芯片供给欠缺带来的市场成长机遇，利用于 DDR5 内 存模组、汽车电子及产业控制等高附加值市场的产物于 2021 年第四时度起多量量供货， 带动公司支出范围和资产范围延续扩大。随着 2023 年下半年消耗端需求慢慢规复，存储 芯片价格逐步回暖，各厂商库存水平规复一般，存储厂贸易绩情况有望显现阶段性规复。

3.3.头部存储厂商纷纷缩减本钱开支
（1）存储大厂纷纷缩减本钱支出，下降产能操纵率以调配供需平衡。按照 IC insights数据显现，全球半导体本钱支出在 2021 年增加 35%，2022 年增加 19%后，估计 2023 年下降 14%，达 1560 亿美圆。细分来看，在存储范畴，以 SK 海力士和美光科技为首的存储芯片厂商对半导体投资支出明显下滑，其中，SK 海力士在 2023 年下降 50%本钱支出，美光在 2023 年本钱支出下降 42%，存储厂商龙头三星电子 2022 年只增加了 5%的本钱支出，2023 年保持上年同等水平。当前，存储市场处于下行周期，全球存储厂商面临价格下降、产业自己的周期属性以及内部经济情况下行身分，为应对延续低迷的存储芯片市场，三星电子、美光科技、SK 海力士、西部数据等存储芯片大厂都公布将于 2023 年大幅度减产、削减本钱开支，改良供需结构。

（2）存储芯片价格下跌幅度减缓，短期有望筑底反弹。停止 2023 年 8 月，年头至今 DRAM 现货价格下跌 30%左右，虽然 DRAM 厂商较早计划减产，但由于今年办事器需求 不如预期，办事器 DRAM 供给整体溢出严重，部分现货 DDR 颗粒供给过剩，原厂不竭收 缩供给过剩的 DDR4 转向利润更高的 DDR5，市场供需状态在产能变更中延续变化，供需 两头延续博弈，部分 DRAM 行情短期承压。今朝存储行情位于底部横盘阶段，市场仍然处 于争取存量需求的阶段，在上游厂商减产、资本拉涨和消耗延续苏醒的带动下，估计下半 年存储行情将延续回暖。
（3）NAND Flash 价格日益趋紧，部分产物价格出现上扬趋向。停止 2023 年 8 月 28 日，SLC 2Gb 256MBx8/SLC 1Gb 128MBx8 现货价格别离为 0.79/0.82 美圆，环比 7 月 28 日跌幅为 1.13%/2.26%；MLC 64Gb 8GBx8/MLC 32Gb 4GBx8 现货价格别离为 3.86/2.06 美圆，环比小幅增加 0.26%/0.34%，稳固了 NAND 资本涨价趋向；3D TLC 256Gb 现货价格为 2.10 美圆，环比连结稳定。随着存储大厂纷纷公布大幅减产，NAND 芯片供给端过剩现象将进一步改良，8 月渠道需求环比有所规复，存储行情有底部反转迹 象。

（4）美光在华销售产物未经过收集平安检查，国产化自立平安可控需求凸显。2023 年 5 月 21 日，网信中国发文称，收集平安检查究公室依法对美光公司在华销售产物停止了 收集平安检查，检查发现，美光公司产物存在较严重收集平安题目隐患，对我国关键信息 根本设备供给链形成严重平安风险，影响我国国家平安。为此，收集平安检查究公室依法 作出不予经过收集平安检查的结论。依照《收集平安法》等法令律例，国内关键信息根本 设备的运营者应停止采购美光公司产物。美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球第三 大存储芯片巨头，检查成果将影响美光的产物在中国市场的销售，三星、SK 海力士将逐步 取而代之，中国的存储厂商也能获得更多市场机遇，此前采购美光存储晶圆、芯片的中国 存储模组制造企业将停止产物结构调剂。

（5）美光在华销售份额较高，国产替换空间广漠。按照美光科技 2022 年财报数据， 2022 财年美光营收为 307.58 亿美圆，其中中国本地为 33.11 亿美圆，占比为 11%，是除 美国和中国台湾外第三大市场。在美光销售的产物中，DRAM 内存是其最首要的来历， 2022 年营收 223.86 亿美圆，占比 73%，NAND 闪存是第二大产物，2022 年营收 78.11 亿 美圆，占比 25%。按照 IC Insights 的数据，全球车规 DRAM 市占率前三别离为美光 （45%）、北京君正（15%）和三星（11%），随着美光在华销售产物遭到限制，国内车载 存储龙头北京君正最早受益；SLC NAND 范畴，国内龙头东芯股份有望从中受益；此外， 按照 CINNO Research 数据，2020 年美光在全球 NOR Flash 市场占约 4%的份额，国内 NOR Flash 龙头厂商兆易创新有望加速产物升级以及进步市占率。

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精选报告来历：文库-远瞻智库


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