英伟达联手 SK 海力士，尝试将 HBM 内存 3D 堆叠到GPU核心上

据报道，SK 海力士正在与几家半导体公司会商其 HBM4 集成设想方式，包括 Nvidia。

外媒以为，Nvidia 和 SK 海力士极能够会配合设想这类集成芯片，并借助台积电停止代工，然后经过台积电的晶圆键合技术将 SK 海力士的 HBM4 芯片堆叠到逻辑芯片上。而为了实现内存芯片和逻辑芯片的一体协同，结合设想是不成避免的。
假如 SK 海力士可以成功，这能够会在很洪流平上改变行业的运作方式，由于这不但会改变逻辑和存储新芯片的互连方式，还会改变它们的制造方式。

现阶段，HBM 堆叠主如果放置在 CPU 或 GPU 旁边的中介层上，并利用 1024bit 接口毗连到逻辑芯片。SK 海力士的方针是将 HBM4 间接堆叠在逻辑芯片上，完全消除中介层。
在某种水平上来说，这类方式有些类似于 AMD 的 3D V-Cache 堆叠，它就是间接将 L3 SRAM 缓存封装在 CPU 芯片上，而假如是 HBM 的话则可以实现更高的容量且更廉价（IT之家注：HBM 明显也会比缓存速度更慢）。
今朝困扰业界的首要身分之一在于 HBM4 需要采用 2048bit 接口，是以 HBM4 的中介层很是复杂且本钱高昂。是以，假如可以将内存和逻辑芯片堆叠到一路，这对于经济效益来说是可行的，但这同时又提出了另一个题目：散热。
现代逻辑芯片，如 Nvidia H100，由于装备了庞大的 HBM3 内存，在带来庞大 VRAM 带宽的同时也发生了数百瓦的热能。是以，要想为逻辑和内存封装调个人停止散热能够需要很是复杂的方式，甚至要斟酌液冷和 / 或淹没式散热。
韩国科学技术院电气与电子工程系的教授 Kim Jung-ho 暗示，“假如散热题目在两到三代以后处理，那末 HBM 和 GPU 将可以像一体一样运作，而无需中介层” 。
一位业内助士告诉 Joongang，“在未来 10 年内，半导体的 ' 游戏法则 ' 能够会发生变化，存储器和逻辑半导体之间的区分能够变得眇乎小哉”。


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