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[科技] 英特尔 CEO 亲自站台:Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺

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马仔爱嘟嘟 发表于 2023-12-21 16:11:42 | 显示全部楼层
 
IT之家 12 月 21 日消息,英特尔首席履行官帕特・基辛格(Pat Gelsinger)克日在接管采访时暗示,英特尔的 18A 工艺和台积电的 N2 工艺不相高低。
不外基辛格暗示,在后背供电(backside power delivery)方面,英特尔更胜一筹,也获得了客户的普遍认可。
英特尔 CEO 亲身站台:Intel 18A 上风略高于台积电 N2 工艺 第1张图片


基辛格暗示英特尔在后背供电技术方面,供给了更好的面积效力,这意味着更低的本钱更好的动力输出,也意味着更高的性能。
基辛格暗示 Intel 18A 凭仗着杰出的晶体管和强大的功率传输,稍微领先于 N2。此外台积电的封装本钱更高,而英特尔可以供给更有合作力的价格上风。
今朝台积电、英特尔和三星都在加速推动代产营业,在比来的 IEEE 国际电子装备会议(IEDM)上,三家公司都展现了 CFET(Complementary FET)晶体管处理计划。
IT之家注:堆叠 CFET 晶体管架构触及将两品种型的晶体管(nFET 和 pFET)堆叠在一路,方针是取代全环抱栅极(GAA),成为密度翻倍的下一代晶体管设想。
据 IEEE Spectrum 报道,英特尔是第一家展现 CFET 处理计划的代工场,早在 2020 年就公然推出了早期版本。在会议时代,英特尔先容了利用 CFET 制造的最简单的电路之一,重点先容了逆变器的改良。
CMOS 反相器将不异的输入电压发送到堆叠在一路的双晶体管的栅极,发生与输入逻辑相反的输出,而且逆变器在单个鳍片上完成。
英特尔还经过将每个器件的纳米片数目从两个增加到三个,将两个器件之间的间隔从 50 nm 削减到 30 nm,从而改良了 CFET 仓库的电气特征。
专家们估计,从现在起头,CFET 技术的大范围贸易化能够还需要 7 到 10 年的时候。


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