三安在湖南建造世界最昂贵的碳化硅制造基地，外媒质疑其能否成功

一直以来中国将大量资金投入半导体领域。这导致进入芯片供应链的各路人马被加速进入，但事情并不都那么漂亮。武汉宏信半导体制造（HSMC）是最公开的失败案例。资金被筹集，但挥霍一空，业务从未开始。一个耗资200亿美元的项目导致大部分空荡荡的洁净室和无薪员工和承包商踪迹全无。债权人和投资者都被坑了，这家公司最终也倒闭了。

湖南三安半导体晶圆厂

中国有希望超越竞争者的一个领域是复合半导体。具体来说，是用于电源和RF应用中的碳化硅和氮化镓。因此，大量资金正被注入这一领域。HDSC、GZSC 和Tankeblue（北京天科合达半导体股份有限公司）各自投资超过 1 亿美元建设 SiC 晶圆设施。
最大的项目是湖南三安半导体晶圆厂。它的目标是成为一个完全集成的SiC晶圆厂，从外延生长和切片一路到动力设备，封装和测试。该设施在第一阶段和第二阶段的造价高达 25 亿美元，每月总产量为 30，000片 6英寸的晶圆。母公司三安光电表示，第一阶段在不到一年的时间内建成，已经可以生产6"SiC晶圆。

电源SiC的市场收入分布

“这是我们工厂的第一阶段，每月15，000晶圆，我们已经带来了一半的满容量生产能力...在第二阶段，我们将构建第一阶段的镜像。我们有一个积极的计划，使工厂全面运作 - 这意味着装备到2024年每月交付30，000片6寸晶圆”-----三安IC技术营销和销售总监

乍一看，这似乎令人震惊，但这里有一些重大问题。三安可能意味着清洁室是在那个时候建造的，但是导致整个操作根本就没有办法成功运作起来，晶圆正在大量生产。目前这个晶圆厂的产量还不得而知，但我们在中国的消息来源不相信他们所声称的目前每月的晶圆数量已经接近7，500片。

SiC的成本来源

即使我们相信三安已经找出了克服了令人难以置信的困难的工艺方法，包括GaN晶体生长，切片，抛光，清洁，催化剂，表皮生长，离子植入，设备制造，和整个测试周期，总晶圆计数也没有什么意义。根据应用材料公司在新的克里沃尔夫斯皮德莫霍克谷的GaN晶圆厂的数据，成本12亿美元，将他们的生产能力从每月不到5000晶圆到约15万片6英寸晶圆当量的水平。
并且应用材料新的晶圆厂将是全球第一个生产200毫米SiC晶圆的工厂，而不是像三安150毫米晶圆。8"和6"分别与200毫米和150毫米直径的晶圆互换使用。从 6" 转换到 8" 将面积增加 ±70%。这是应用材料在其计算中所做的调整。此外，莫霍克谷工厂不仅生产器件，而且还生产外延材料。Cree Wolfspeed 将拥有超过 6 亿美元的材料业务，Cree 将未经加工的未加工的抛光和表观晶圆销售给英飞凌、ST 微电子、On半导体等公司。Cree Wolfspeed也将在同一时间段内拥有10亿美元的设备业务。鉴于最终设备的收益率成本超过 30%，我们可以将材料/设备业务的规模调整为等效。

SiC业务的全球玩家

不管这些SiC晶圆厂的数学和估计值如何，有一件事是清楚的，耗资25亿美元的三安项目是克里·沃尔夫斯佩德在莫霍克谷的2倍多，但晶圆总产量还不到其一半。三安工厂有许多与产能爬坡相关的严重技术挑战，也许他们正在挥手离开。工具链和工艺在碳化硅中是非常习惯地出问题，西方公司甚至都有问题，更不用说三安希望一次全部完善成功。此外，鉴于该项目的25亿美元成本，他们的生产产能数字几乎是荒谬的。
三安项目会成为另一个以政府举措、补贴和不切实际期望为目标但是最终点燃并烧光资金的案例吗？武汉宏信半导体制造（HSMC）的故事还会重演吗？让我们拭目以待。
（参考来源：semianalysis）


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这个翻译

先把宏信名字写对！

担心！！！

建造成本虚增会是资金大量外流吗

重演也不为怪，环境不错

感觉三安光电快没有大碗去盖小碗了

未来风险最大的可能就是半导体了，不过相对机遇也是最大的

碳化硅是制造功率器件的吗？

脱钩必须付出代价，为未来整体发展计是不能只看眼前利益的。