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[科技] Tower Semiconductor被控盗用知识产权，涉及多孔硅技术

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春光焕发CGHF 发表于 2022-7-19 12:39:52 | 只看该作者 打印 上一主题 下一主题
 
今年初英特尔宣布以每股53美元的现金，总价约54亿美元，收购以色列半导体厂商Tower Semiconductor，预计交易会在2023年2月完成。英特尔表示，对方是一间领先的模拟半导体解决方案代工厂，能大大推进其IDM 2.0战略，进一步扩大其制造能力，提供更丰富和差异化的技术组合，是一笔高度互补的交易。
英特尔的收购还没完成，不过Tower Semiconductor却遇到了麻烦的事情。据相关媒体报道，近日，总部位于英国卡迪夫的复合半导体晶圆生产商IQE对Tower Semiconductor提起诉讼，称盗用了其知识产权，该案由美国加利福尼亚州的地方法院负责。
Tower Semiconductor被控盗用知识产权，涉及多孔硅技术 第1张图片
虽然Tower Semiconductor已获得了相关专利，但IQE认为这些专利是基于自己的技术。IQE表示有“重要证据”表明Tower Semiconductor盗用了其技术，严重损害了IQE的竞争力以及技术研发和专利申请上投入的大量资源，目前索赔的重点是后者多孔硅技术上，主要用于制造5G和先进传感器的组件。比如总部位于法国的半导体制造商Soitec就采用相关技术，制造用于5G手机的组件。
投资银行Peel Hunt的金融分析师Damindu Jayaweera在给投资者的一份报告中，对IQE索赔的“重要证据”表示认同，称目前制造商的一些组件和多孔硅技术有关。如果最终判定存在问题，将削弱Soitec在RF-SOI领域的主导地位，其价值约为每年5亿美元。
Tower Semiconductor在部分领域的专业技术是英特尔所看重的，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）曾提到，前者的专业技术组合有助于英特尔的代工服务，推进成为全球主要代工供应商的目标。


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标签：英国法国美国半导体解决方案
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