随着行业转向800伏EV系统,瑞萨电子(OTCPK:RNECY)推出了新一代紧凑型高压IGBT,其耐压电压高达1,200 V,额定电流高达300 A,旨在提升电动汽车核心的电力电子设备。
与当前一代AE4产品相比,其用于IGBT的400-800V硅基AE5工艺的功率损耗降低了10%,节能将帮助电动汽车开发人员节省电池电量并增加行驶里程。此外,新产品的尺寸缩小了约10%。
据瑞萨电子介绍,AE5代IGBT将于2023年上半年在日本中区的工厂在瑞萨电子的200毫米和300毫米晶圆生产线上大规模生产。此外,瑞萨电子将于2024年上半年在日本甲府市新建的功率半导体300毫米晶圆厂提高产量,以满足对功率半导体产品不断增长的需求。
这些器件将与 WOLF 的 SiC MOSFET 竞争,并将在 WOLF 的新晶圆厂开业的同时投入生产。
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