当地时间4月18日,英特尔公司宣布在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造领域的一个重要里程碑,完成了业界首个商用High NA(高数值孔径)极紫外(EUV)光刻机的组装。
据介绍,英特尔正在对ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV 光刻机进行校准步骤,为英特尔未来工艺路线图的生产做准备。该新设备能够通过改变将打印图像投影到硅晶圆上的光学设计,显着提高下一代处理器的分辨率和功能扩展。
英特尔院士兼英特尔代工逻辑技术开发光刻、硬件和解决方案总监Mark Phillips表示,“随着High NA EUV 的加入,英特尔将拥有业界最全面的光刻工具箱,使该公司能够在2030年代的后半段推动超越Intel 18A 的未来工艺能力。”
资料显示,ASML的第一代High NA EUV(EXE:5000)的分辨率为 8nm,可以实现比现有EUV光刻机小1.7倍物理特征的微缩,从将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍,可以使芯片制造商能够简化其制造流程。并且,EXE:5000每小时可光刻超过 185 个晶圆,与已在大批量制造中使用的 NXE 系统相比还有所增加。ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的路线图,确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工厂对于芯片制造商来说在经济性上至关重要。根据此前的爆料显示,High NA EUV的售价高达3.5亿欧元一台。